人才引进工作地区:上海
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招聘
岗位
专任副研究员1名(所属任务:3-5nm)
职责
1. FinFET及GAA器件的设计及工艺整合。
2. SiGe材料外延工艺开发。
3. 面向先进工艺的DTCO技术研究。
招聘条件
1. 拥护党和国家的各项方针政策,遵守法律法规,品行端正;身体健康,心理素质良好;爱岗敬业,恪守学术规范和职业道德。
2. 具有微电子、物理、材料相关专业/学科博士学位。
3. 年龄一般在40周岁以下。
4. 须具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平,或任务特需的,具有中级专业技术职务任职资格(获聘后按中级专业技术职务任职资格认定)
5. 精通半导体器件物理以及集成电路工艺,具有丰富的半导体器件和工艺开发经验,包括EBL/刻蚀/外延/ALD/CVD,器件/工艺仿真等。
6. 具有重大项目研究经历者优先。
范围
校内、外
待遇
1.与学校签订劳动合同,可申请学校相关住房。
2.提供有市场竞争力的薪资待遇和优越的科研环境。
3.符合相关条件的,可按照学校规定申请子女入托入学。
应聘
程序
1.应聘者发送个人简历(包括学习研究经历、发表论文列表、既往研究成果、未来研究计划等)至qyx@fudan.edu.cn, 抄送到xu_min@fudan.edu.cn。
2.择优安排面试。
3.拟聘用者报学校审批。
联系
方式
邮箱:xu_min@fudan.edu.cn
截止
日期
2023年12月31日
备注
订立聘用合同或者劳动合同以前有下列情形的,不予录用:
(1)受过刑事处罚、行政拘留处罚,或者因涉嫌违法正在接受有关部门调查,尚未作出结论的;
(2)受到党(团)纪、政纪处分,处分尚未解除,或者因涉嫌违纪正在接受有关单位调查,尚未作出结论的;
(3)违反高等学校教师职业行为规范的;
(4)在应聘过程中违背诚实信用或者社会公序良俗的;
(5)其他不符合聘用条件的情形。
来源:https://hr.fudan.edu.cn/af/09/c15365a634633/page.htm
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